B系列全耗尽硅面垒型辐射探测器-手机版伟德客户端下载教程

B系列全耗尽硅面垒型辐射探测器

产品型号：

简要描述：主要应用粒子识别、望远探测器、任何类型的E测量

厂家实力

Manufacturer Strength

有效保修

Valid Warranty

质量保障

Quality Assurance

订购时必须指定安装座。

除非另有说明，否则提供T型安装座。

*所有标准耗尽的探测器都以特定的角度从母晶体上偏轴切割，这将限度地减少离子穿隧效应。除非以适当的字母前缀另行指定，否则提供T安装座。可为特殊订单提供其他面积和深度。

**型号的前三位数字表示使用标准ORTEC电子设备和0.5-μs整形时间常数时，²⁴¹Am，5.486-MeV α的总系统分辨率FWHM。β分辨率近似于脉冲发生器宽度FWHM。

§需要特殊订单。

注:兼容Alpha套件的探测器:ENS-系列(购买新系统时含安装和测试)、ENS8系列(新系统的8包备件)、B接口的ULTRA-AS和低本底R系列探测器型号保证与Alpha套件产品(DUO、MEGA、ARIA、ENSEMBLE)兼容。所有其他探测器都需要经过特殊批准以保证其兼容性及指标规格。

有效面积 (mm²)	保证分辨率（keV**）		耗尽深度150 µm 范围125-175µm	耗尽深度200 µm 范围176-225µm	耗尽深度250 µm 范围226-275µm
有效面积 (mm²)	α	β	型号	型号	型号
50	15 16	6 7	B-015-050-150 B-016-050-150	B-015-050-200 B-016-050-200	B-015-050-250 B-016-050-250
150	17 18	9 10	B-017-150-150 B-018-150-150	B-017-150-200 B-018-150-200	B-017-150-250 B-018-150-250
300	19 20	12 15	B-019-300-150 B-020-300-150	B-019-300-200 B-020-300-200	B-019-300-250 B-020-300-250
450	23 24	17 19	B-023-450-150 B-024-450-150	B-023-450-200 B-024-450-200	B-023-450-250 B-024-450-250

有效面积 (mm²)	保证分辨率（keV**）		耗尽深度300 µm 范围276-350µm	耗尽深度400 µm 范围351-450µm
有效面积 (mm²)	α	β	型号	型号
50	15 16	6 7	B-015-050-300 B-016-050-300	B-015-050-400 B-016-050-400
150	17 18	9 10	B-017-150-300 B-018-150-300	B-017-150-400 B-018-150-400
300	19 20	12 15	B-019-300-300 B-020-300-300	B-019-300-400 B-020-300-400
450	23 24	17 19	B-023-450-300 B-024-450-300	B-023-450-400 B-024-450-400

有效面积 (mm²)	保证分辨率（keV**）		耗尽深度500 µm 范围451-550µm	耗尽深度700 µm 范围650-750µm	耗尽深度1000 µm 范围950-1050µm
有效面积 (mm²)	α	β	型号	型号	型号
50	15 16	8 9	B-015-050-500 B-016-050-500	B-015-050-700 B-016-050-700	B-015-050-1000 B-016-050-1000
150	17 18	9 10	B-017-150-500 B-018-150-500	B-017-150-700 B-018-150-700	B- B-
300	19 20	13 14	B-019-300-500 B-020-300-500	B-019-300-700 B-020-300-700	B- B-
450	21 23	16 18	B-021-450-500 B-023-450-500	B-021-450-700 B-023-450-700	B- B-

有效面积 (mm²)	保证分辨率（keV**）		耗尽深度1500 µm§ 范围1450-1550µm
有效面积 (mm²)	α	β	型号
50	17 19	12 14	B-017-050-1500 B-019-050-1500
150	19 21	14 16	B- B-
300	21	16	B-
450	24	19	B-

有效面积 (mm²)	保证分辨率（keV**）		耗尽深度2000 µm§ 范围1950-2050µm
有效面积 (mm²)	α	β	型号
50	18	13	B-018-050-2000
150	20	15	B-
300	23	18	B-
450	26	21	B-

探测器尺寸 (mm²)	W (标称)	A型		T型^§透射安装座
探测器尺寸 (mm²)	W (标称)	X	Y	X	Y	Z
050	8.0	15.2	3.7	19.4	7.9	9.9
150	13.8	22.0	3.7	26.1	7.9	9.9
300	19.5	27.1	3.7	31.6	7.9	9.9
450	23.9	30.5	3.7	34.8	7.9	9.9
Tolerance	±0.5	±0.3	±0.3	±0.3	±0.3	±0.3

B系列全耗尽硅面垒型辐射探测器

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